טאואר מודיעה על לקוח חדש לג'אז: חברת ליים-מיקרוסיסטמס המוכרת שבבים למַשדרים-מַקלטים בחרה בתהליך ה-SiGe המתקדם של החברה

השוק הטכנולוגי של מַשדרים-מַקלטים צפוי לצמוח מ-434 מיליון דולר ב-2009 ל-9 מיליארד דולר עד שנת 2014
מגדל העמק, ישראל, NEWPORT BEACH, קליפורניה וגולדפורד, אנגליה (17 בפברואר, 2009) – טאואר סמיקונדקטור (סימול: TSEM), ג'אז סמיקונדקטור (מקבוצת טאואר סמיקונדקטור) וחברת Lime Microsystems, ספקית מובילה של מעגלים משולבים למַשדרים-מַקלטים (transceivers) עתירי ביצועים בתחום ה-RF, הודיעו היום כי חברת ליים-מיקרוסיסטמס בחרה בתהליך BiCMOS SiGe בטכנולוגיית ה-0.18 מיקרון של חברת ג'אז לשם ייצור הדור הראשון של המשדרים-מקלטים אשר יהיו זמינים באופן מסחרי.

השבבים של חברת ליים-מיקרוסיסטמס הינם משדרים-מקלטים מסוג femtocell, רבי ממשקים ותדירויות, היכולים לפעול בהתאם לסטנדרטים עולמיים של רשתות סלולאריות (כגון WiMAX, 3G ו-LTE) וכן מאפשרים הפחתת עלויות ומלאים עבור חברות ייצור בתחום זה. ה-femtocell מזוהה כטכנולוגיה המאפשרת יצירת טלפונים אלחוטיים לשימוש ביתי ומשרדי, המהווה אלטרנטיבה אמיתית לקווי טלפון, ובכך פותרת למעשה את הצורך בהתקנה הביתית הדרושה עבור דור ה-3G, דבר המבטיח קיבולת תקשורת ביתית, כיסוי ביתי ושירות טובים יותר. השוק של טכנולוגיית ה-femtocell צפוי לצמוח מ-434 מיליון דולר בשנת 2009 ל-9 מיליארד דולר עד שנת 2014.

הטכנולוגיה הייחודית של ליים-מיקרוסיסטמס, בשילוב עם טכנולוגית ה-BiCMOS SiGe של ג'אז, מאפשרת פיתוח שבב בודד, רב-תחומי, התומך במספר רב של תקני שידור עם ביצועי RF מעולים. המשדר-מקלט שפותח מאפשר גמישות בתכנונו. דבר החשוב במיוחד ליצרני ה-femtocells, המחויבים בביצוע אינטגרציה והתאמה עם תקנים המתעדכנים ומתפתחים כל העת.

"מטרתנו הייתה תכנון משדר-מקלט חדשני אשר יספק את הדרישות הקיצוניות הנדרשות באימוץ טכנולוגיית ה-femtocell. הטכנולוגיה של ג'אז, ניסיונם והתמחותם אפשרו לנו לשלב מספר רב של פונקציות לתוך המוצר המתקדם שלנו," אמר איברהים בושרי, מנכ"ל ליים-מיקרוסיסטמס. "אנו נרגשים להציג את יכולות המשדר-מקלט האלחוטי המתקדם הזה ללקוחות פוטנציאליים בכנס בו אנו משתתפים בימים אלו."

"ג'אז שמחה מאוד על ההזדמנות לשתף פעולה עם מובילה טכנולוגית כדוגמת ליים-מיקרוסיסטמס בתכנון ייצור מוצר לשוק מתפתח, הממנף את רמת ביצועינו הגבוהה בתהליך ה-SiGe בטכנולוגיית ה-0.18 מיקרון. טכנולוגיה זו ממשיכה להיות הבחירה המועדפת לייצור מוצרים חדשניים הדורשים ביצועי RF וביצועים אנלוגיים מתקדמים תוך שמירה על עלויות נמוכות יחסית," אמר ד"ר מרקו רקאנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל כללי של RF ו-Analog בג'אז סמיקונדקטור.