טאואר וג'אז מודיעות על השלמת הפיתוח של טכנולוגיה המיועדת למגברי הספק בטלפונים סלולאריים ומשדרים אלחוטיים

החברות כבר מוכרות יישומים אלה לשני הלקוחות הכי גדולים של ג'אז, RFMD ו-SKYWORKS שקצב המכירות אליהן צפוי להיות מעל 60 מיליון דולר לשנה
טאואר סמיקונדקטור (סימול: TSEM) וג'אז סמיקונדקטור (מקבוצת טאואר) הודיעו היום על השלמת הפיתוח של טכנולוגיית Deep-Silicon-Via (DSV) בתהליך 0.18 מיקרון בסיליקון ג'רמניום (SiGe). הטכנולוגיה החדשה מאפשרת הארקה בהשראות נמוכה לצורך הורדת צריכת ההספק במגברי הספק. שיטה חדשנית זו הינה אופטימאלית לפרוסות של 8 אינטש ומאפשרת הורדת עלויות באופן משמעותי.
על-פי חברת המחקר Strategy Analytics, שוק מגברי ההספק ביחידות הקצה של הטלפונים הסלולאריים והמשדרים האלחוטיים צפוי לצמוח מ-1.6 מיליארד יחידות בשנת 2009 ל-2.5 מיליארד יחידות בשנת 2012. כיום, טאואר וג'אז כבר מוכרות יישומים אלה לשני הלקוחות הגדולים ביותר של ג'אז, RFMD (סימול: RFMD) ו-SKYWORKS (סימול: SWKS), שקצב המכירות אליהן צפוי להיות מעל 60 מיליון דולר לשנה.
"אנו ממשיכים להשקיע בפיתוח טכנולוגיות הייצור שלנו ובכך מאפשרים פתרונות ייחודיים ומתקדמים של רכיבי סיליקון העוזרים ללקוחותינו להוזיל עלויות ולהגדיל את רמות האינטגרציה של מוצריהן," אמר ד"ר מרקו רקאנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל קבוצת ה-RF וה-HPA בטאואר וג'אז.

טכנולוגית הDSV שפותחה על ידי ג'אז משתמשת בציוד סיליקון קיים ולכן מאפשרת ייצור בהיקפים גדולים ללא צורך בשיטות מורכבות של דיקוק וטיפול בפרוסות דקות ושבירות. טאואר וג'אז הינן המובילות במתן פתרונות מבוססי SiGe המיועדים להקטנת צריכת הספק והורדת עלויות.